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IXTP50N20PM
90
Fig. 7. Input Admittance
36
Fig. 8. Transconductance
80
70
60
50
40
32
28
24
20
16
T J = - 40oC
25oC
150oC
30
20
10
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
12
8
4
0
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
V G S - Volts
I
D
- Amperes
150
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
125
100
75
8
7
6
5
4
I D = 25A
I G = 10mA
50
25
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
0
10
20
30
40
50
60
70
V S
D
- Volts
Q
G
- nanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Safe Operating Area
1000
C iss
100
R DS(ON) Limit
25μs
C oss
100μs
100
10
1m s
10
f = 1MHz
C rss
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Puls e
DC
10m s
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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IXTP54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP55N075T 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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